1、在高电压作用下，沿绝缘体表沿的放电叫闪络。
2、闪络是指高压输电线路的绝缘子由于表面污损而引起的瞬间击穿，也包括带电高压导线周围应电场强度极高，空气电离形成的辉光放电现象。
3、闪络是指固体绝缘子周围的气体或液体电介质被击穿时，沿固体绝缘子表面放电的现象。其放电时的电压称为闪络电压。发生闪络后，电极间的电压迅速下降到零或接近于零。闪络通道中的火花或电弧使绝缘表面局部过热造成炭化，损坏表面绝缘。
缺油断路器的突出特点是结构简单，制造和维修容易，价格低廉，使用方便。与富油断路器相比，贫油断路器体积更小、重量更轻、耗油量更少，可以通过积木式组装成超高压贫油断路器，广泛应用于电力系统。其缺点是燃弧时间长，动作慢，维修周期短，维修工作量大，受机组断口电压限制，难以发展UHV等级。
少油断路器的突出特点是结构简单，易于制造和维修、价格低、使用方便。与多油断路器相比，少油断路器体积小、重量轻、用油量少，能采用积木式组装成超高压少油断路器，并在电力系统中被广泛应用。
油面过低 油断路器触点至油面的油层过薄，油受电弧作用而分解的可燃气体冷却不良，这部分可燃气体进入顶盖下面的空间而与空气混合，形成爆炸性气体，在自身的高温下就有可能爆炸燃烧。（2）油箱内的油面过高 析出的气体在油箱内得不到空间缓冲，形成过高的压力，也可能引起油箱爆炸起火。
少油断路器的绝缘油仅作为灭弧介质，触头和灭弧装置对地的绝缘由支持绝缘子、套管和有机部件构成的。它体积小、重量轻、断油容量大。
1、普通阀型又分为带并联电阻的FZ型和无并联电阻的FS型。FS型适用于配电线路和变压器，FZ型则针对发电厂和变电站的设备。尽管FS型残压稍高，但结构简单、体积小，而FZ型的阀片直径更大，电流通过能力更强。磁吹阀型避雷器的革新 磁吹阀型避雷器的革新在于其强大的磁吹式火花间隙和高性能的阀片。
2、FS型避雷器：这是一种普通阀式避雷器，结构较为简单，保护性能一般，价格低廉，一般用来保护10kV及以下的配电设备。如配电变{TodayHot}压器、柱上断路器、隔离开关、电缆头等。FZ型避雷器：这种避雷器在火花间隙旁并联有分路电阻，保护性能好。主要用于3～220kV电气设备的保护。
3、工作原理 阀型避雷器是电力系统变~配电装置防雷保护中常用的防雷保护装置，阀型避雷器由串联的火花间隙~串联的阀片电阻和1个瓷套以及上下端螺栓组成。火花间隙能在遇到过电压时被击穿放电，在正常运行的工频电压下起着将电源与阀型电阻相互隔断的作用。
4、请问问的是普通阀型避雷器中fs系列和fc系列分别作用于哪里吗？用途不同。FS型避雷器：这是一种普通阀式避雷器，结构较为简单，保护性能一般，价格低廉，一般用来保护10kV及以下的配电设备。FC型避雷器：也是一种磁吹式阀型避雷器，电气性能更好，专用于变电所高压电气设备的保护。
5、【答案】：A，B 【解析】避雷器类型有：保护间隙避雷器、管型避雷器、阀型避雷器（有普通阀型避雷器Fs、Fz型和磁吹阀型避雷器）、氧化锌避雷器。保护间隙避雷器、管型避雷器在工厂变电所中使用较少。
IGBT驱动模块的工作原理主要基于以下几点： 隔离与驱动： IGBT驱动模块为了确保控制信号与高功率IGBT开关之间的电气隔离，通常会采用光耦合器、变压器隔离或者集成隔离器等隔离技术来传递信号。这是为了保护控制电路和用户，防止高电压反馈到控制侧。
工作阶段： IGBT在工作时，通过控制其栅极电压，可以调控电流从集电极到发射极的导通。当栅极电压施加时，形成一个电子通道，使电流能够流过。驱动模块： IGBT通常需要较高的栅极电压来确保完全导通。为了提供这个电压，通常使用专门的IGBT驱动模块。
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种高功率半导体器件，广泛应用于能量调制和电力电子领域。IGBT 的工作原理可以简化为三个阶段：饱和状态、关断状态和恢复状态。首先，当IGBT处于饱和状态时，输入控制信号流经门极，通过N+区域注入电子。
原理：IGBT的基本工作原理是通过外部施加电压信号来控制其导通或关断，从而实现对电流的控制，当栅极施加正向电压时，IGBT导通，允许电流流通，当栅极施加反向电压或不加电压时，IGBT关断，阻断电流。
IGBT工作原理：IGBT的等效电路如图1所示。由图1可知，若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOSFET截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。
IGBT模块的工作原理 IGBT模块的工作原理与单个IGBT器件相似，但它们的关键优势在于多个器件的集成和协同工作。以下是IGBT模块的工作原理：IGBT器件：IGBT模块内部包含多个并联或串联连接的IGBT器件。每个IGBT器件都由发射极、基极和集电极组成，它们的工作类似于单个IGBT器件。
